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Abb. 4.5.1. Kristallstruktur von Al4C3 ‣VRML |
Abb. 4.5.2. Kyanit |
GaAs: Trümmer eines Wafers | InP: Gesägter Einkristall und Bruchstück | InSb: sehr kleine Bandlücke |
Abb. 4.5.3. Fotos einiger III-V-Halbleiter |
Ihr Vorteil gegenüber Silicium als Halbleiter ist die Einstellbarkeit der Größe der Bandlücke durch Mischkristallbildung (Werte in eV):
AlN: 4.26 | ... | InN: 1.35 |
... | ... | ... |
AlSb: 1.50 | ... | InSb: 0.18 |
sowie die Tatsache, dass die meisten im Unterschied zu Silicium sogenannte direkte Bandlücken zeigen und damit als LED-Materialien verwendet werden können.
Abb. 4.5.4. Funktionsprinzip von Dioden (p-n-Übergänge, oben) sowie schematischer Aufbau einer LED (links unten) ‣SVG und wichtige Halbleitermaterialien mit Bandlücken (rechts unten) ‣SVG |
Abb. 4.5.5. Kristallstruktur von γ-AlH3 ‣VRML |
Abb. 4.5.6. Al-N-Gerüste in Al-N-Alkylen ‣SVG |
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