cr_home | Nichtmetalle | Strukturchemie | FK-Chemie | Interm. Phasen | Oxide | Silicate | Strukturtypen |
⇦ | Inhalt | Kap. 1 | Kap. 2 | Kap. 3 | Kap. 4 | Kap. 5 | Kap. 6 | Kap. 7 | Kap. 8 | Kap. 9 | Literatur | ⇨ |
GaAs: Trümmer eines Wafers | InP: Gesägter Einkristall und Bruchstück | InSb: sehr kleine Bandlücke |
Ihr Vorteil gegenüber Silicium als Halbleiter ist die Einstellbarkeit der Größe der Bandlücke durch Mischkristallbildung (Werte in eV):
AlN: 4.26 | ... | InN: 1.35 |
... | ... | ... |
AlSb: 1.50 | ... | InSb: 0.18 |
sowie die Tatsache, dass die meisten im Unterschied zu Silicium sogenannte direkte Bandlücken zeigen und damit als LED-Materialien verwendet werden können.
Abb. 4.5.4. Funktionsprinzip von Dioden (p-n-Übergänge, oben) sowie schematischer Aufbau einer LED (links unten) ‣SVG und wichtige Halbleitermaterialien mit Bandlücken (rechts unten) ‣SVG |
AlH3 kann als Reduktionsmittel und für Hydrierungen verwendet werden. Eine praktisch wichtige Al-Wasserstoffverbindung ist LiAlH4, Lithiumaluminiumhydrid bzw. Lithiumalanat bzw. Lithiumhydridoaluminat(III). Es dient als Reduktionsmittel und reduziert z.B. HgCl2 zu elementarem Quecksilber. Die Darstellung von Na-Alanat gelingt aus den Elementen bei 150oC unter Druck
⇦ | Inhalt | Kap. 1 | Kap. 2 | Kap. 3 | Kap. 4 | Kap. 5 | Kap. 6 | Kap. 7 | Kap. 8 | Kap. 9 | Literatur | ⇨ |
cr_home | Nichtmetalle | Strukturchemie | FK-Chemie | Interm. Phasen | Oxide | Silicate | Strukturtypen |